BPW16N
- Производитель: Vishay Semiconductors
- Описание:Фототранзисторы NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm
Запрос:
Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок T-3/4
- Вид монтажа Through Hole
- Пиковая длина волны 825 nm
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 50 mA
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 32 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
- Темновой ток 200 nA
- Время нарастания -
- Время спада -
- Pd - рассеивание мощности 100 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Серия -
