198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

QSB363

QSB363
Запрос:
Технические характеристики
  • Продукт Phototransistors
  • Упаковка / блок T-3/4
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Пиковая длина волны 940 nm
  • Рабочее напряжение питания -
  • Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 1.5 mA
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
  • Темновой ток 100 nA
  • Время нарастания 15 us
  • Время спада 15 us
  • Pd - рассеивание мощности 75 mW
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Серия QSB363