Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Пиковая длина волны -
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 30 mA
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 32 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
- Темновой ток 500 nA
- Время нарастания -
- Время спада -
- Pd - рассеивание мощности 100 mW
- Минимальная рабочая температура - 30 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Серия -
