Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 5 mm x 2.62 mm x 0.1 mm
- Тип GaN Power Amplifier
- Технология GaN SiC
- Рабочая частота 10 GHz to 11 GHz
- P1dB - точка сжатия 40 dBm
- Усиление 37 dB
- Рабочее напряжение питания 28 V
- NF - коэффициент шумов -
- Тестовая частота -
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -
- Рабочий ток источника питания 365 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Квалификация -
- Серия TGA
- Упаковка Gel Pack
