Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 7 mm x 7 mm x 0.85 mm
- Тип Power Amplifier
- Технология GaN SiC
- Рабочая частота 2.8 GHz to 3.2 GHz
- P1dB - точка сжатия -
- Усиление 22 dB
- Рабочее напряжение питания 25 V
- NF - коэффициент шумов -
- Тестовая частота -
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 47 dBm
- Рабочий ток источника питания 3.7 A
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Квалификация -
- Серия -
- Упаковка Waffle
