Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Chip
- Тип Power Amplifier
- Технология GaN
- Рабочая частота 8 GHz to 11 GHz
- P1dB - точка сжатия 36 dBm
- Усиление 31 dB
- Рабочее напряжение питания 28 V
- NF - коэффициент шумов -
- Тестовая частота -
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -
- Рабочий ток источника питания 650 mA
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Серия -
- Упаковка -
