Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок EPFFP-6
- Тип Low Noise Amplifier with Bypass for LTE
- Технология Silicon
- Рабочая частота 1805 MHz to 2200 MHz, 2300 MHz to 2690 MHz
- P1dB - точка сжатия - 8.5 dBm
- Усиление 15 dB
- Рабочее напряжение питания 1.5 V to 3.3 V
- NF - коэффициент шумов 0.7 dB
- Тестовая частота 2000 MHz, 2500 MHz
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -
- Рабочий ток источника питания 4.8 mA
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 105 C
- Квалификация -
- Серия NJG1170
- Упаковка Reel
