Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 4.28 mm x 4.26 mm x 0.1 mm
- Тип Power Amplifier
- Технология GaN SiC
- Рабочая частота 5 GHz to 6 GHz
- P1dB - точка сжатия -
- Усиление 24.8 dB
- Рабочее напряжение питания 28 V
- NF - коэффициент шумов -
- Тестовая частота 6 GHz
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -
- Рабочий ток источника питания 1 A
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Квалификация -
- Серия -
- Упаковка Gel Pack
