Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PG-HB1DSO-14-1
- Тип Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amplifier
- Технология Silicon
- Рабочая частота 1805 MHz to 2200 MHz
- P1dB - точка сжатия -
- Усиление 30 dB
- Рабочее напряжение питания 0 V to 32 V
- NF - коэффициент шумов -
- Тестовая частота 1990 MHz
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -
- Рабочий ток источника питания -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 225 C
- Квалификация -
- Серия -
- Упаковка Reel
