198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

HMC659LC5TR

HMC659LC5TR
Запрос:
Технические характеристики
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок QFN-EP-32
  • Тип Power Amplifier
  • Технология GaAs
  • Рабочая частота DC to 15 GHz
  • P1dB - точка сжатия 26.5 dBm
  • Усиление 19 dB
  • Рабочее напряжение питания 8 V
  • NF - коэффициент шумов 3 dB
  • Тестовая частота -
  • OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 35 dBm
  • Рабочий ток источника питания 300 mA
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Квалификация -
  • Серия HMC659G
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel