A2T08VD021NT1
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 80 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 105 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 19.1 dB
- Выходная мощность 2 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PQFN-24
- Упаковка Cut Tape, Reel
