A2T18S262W12NR3
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 3.2 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 19.3 dB
- Выходная мощность 56 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок OM-880X-2
- Упаковка Reel
