A3T23H450W23SR6
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 0.5 V, 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 14.7 dB
- Выходная мощность 87 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок ACP-1230S-4L2S
- Упаковка Cut Tape, Reel
