Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 2.6 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 105 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 19.2 dB
- Выходная мощность 700 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780H-4
- Упаковка Cut Tape, Reel
