Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология GaN SiC
- Id - непрерывный ток утечки 28 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 22.5 dB
- Выходная мощность 1.862 kW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок NI-1230-4
- Упаковка Tray
