A2T21H141W24SR3
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V
Запрос:
Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 1 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 17.2 dB
- Выходная мощность 36 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780S-4
- Упаковка Reel
