198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

PD85035STR1-E

PD85035STR1-E
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:РЧ МОП-транзисторы RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 8 A
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 14.9 dB
  • Выходная мощность 35 W
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerSO-10RF-Straight-4
  • Упаковка Reel