Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 17.5 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
- Id - непрерывный ток утечки 4 A
- Выходная мощность 162 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 127 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-360
- Упаковка Tray
