198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

GTVA126001EC-V1-R0

GTVA126001EC-V1-R0
  • Производитель: Wolfspeed / Cree
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 18 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 10 A
  • Выходная мощность 600 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа Screw Mount
  • Упаковка / блок H-36248-2
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel