Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN Si
- Усиление 13 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 3 V
- Id - непрерывный ток утечки 4 mA
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Pd - рассеивание мощности 44 W
- Вид монтажа Screw Mount
- Упаковка / блок -
- Упаковка Tray
