198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BF861B,215

BF861B,215
  • Производитель: NXP Semiconductors
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10MA
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора JFET
  • Технология Si
  • Усиление -
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 25 V
  • Id - непрерывный ток утечки 15 mA
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности 250 mW
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel