CG2H80060D-GP4
- Производитель: Wolfspeed / Cree
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN
- Усиление 15 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
- Id - непрерывный ток утечки 6 A
- Выходная мощность 60 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 225 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Die
- Упаковка Gel Pack
