198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

CE3512K2

CE3512K2
  • Производитель: CEL
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора pHEMT
  • Технология GaAs
  • Усиление -
  • Полярность транзистора -
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 4 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки 10 mA
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Pd - рассеивание мощности 125 mW
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок -
  • Упаковка Bulk