Технические характеристики
- Тип транзистора pHEMT
- Технология GaAs
- Усиление -
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 4 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 10 mA
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Pd - рассеивание мощности 125 mW
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Упаковка Bulk
