198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

QPD1009

QPD1009
  • Производитель: Qorvo
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 24 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
  • Id - непрерывный ток утечки 700 mA
  • Выходная мощность 17 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 17.5 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок QFN-16
  • Упаковка Tray