CG2H80120D-GP4
- Производитель: Wolfspeed / Cree
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN
- Усиление -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность 120 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Die
- Упаковка Gel Pack
