NPT25100B
- Производитель: MACOM
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора -
- Технология GaN Si
- Усиление -
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок -
- Упаковка Bulk
