2SK3557-6-TB-E
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Тип транзистора JFET
- Технология Si
- Усиление -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 15 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 15 V
- Id - непрерывный ток утечки 50 mA
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор - 15 V
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 200 mW
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-3
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
