Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 16.3 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V to 2 V
- Id - непрерывный ток утечки 15 A
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 522 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
- Упаковка -
