BFU530R
- Производитель: NXP Semiconductors
- Описание:РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar Wideband
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe60
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 16 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
- Непрерывный коллекторный ток 10 mA
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT143B-4
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
