BLV33
- Производитель: Advanced Semiconductor, Inc.
- Описание:РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar Power
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe15
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 33 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
- Непрерывный коллекторный ток 12.5 A
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок SOT-147
- Квалификация -
- Упаковка Tray
