198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

2SC5551AF-TD-E

2SC5551AF-TD-E
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание:РЧ биполярные транзисторы RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Серия 2SC5551A
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология Si
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe90
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток 300 mA
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PCP-3
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel