Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 63 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
- Непрерывный коллекторный ток 8 A
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа Flange Mount
- Упаковка / блок Ceramic-2
- Квалификация -
- Упаковка -
