MRF555T
- Производитель: Advanced Semiconductor, Inc.
- Описание:РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Запрос:
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe50
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 16 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
- Непрерывный коллекторный ток 500 mA
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 317D-02
- Квалификация -
- Упаковка Tray
