Технические характеристики
- Технология GaN Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-247-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
- Id - непрерывный ток утечки 35 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 62 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.6 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 18 V
- Qg - заряд затвора 42 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 125 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка -
