SCT30N120
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:МОП-транзистор 1200V silicon carbide МОП-транзистор
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология SiC
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок HiP-247-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV
- Id - непрерывный ток утечки 45 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.6 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 25 V, - 10 V
- Qg - заряд затвора 105 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Pd - рассеивание мощности 270 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение HiP247â?¢
- Упаковка Tube
