SISS05DN-T1-GE3
- Производитель: Vishay / Siliconix
- Описание:МОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerPAK-1212-8
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 108 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.8 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток - 20 V, + 16 V
- Qg - заряд затвора 76 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 65.7 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
