BSS123WQ-7-F
- Производитель: Diodes Incorporated
- Описание:МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-323-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки 170 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 200 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel