R5009ANX
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор Silicon N-channel МОП-транзистор, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220FP-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
- Id - непрерывный ток утечки 9 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 21 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 51 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel
