Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-263-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки 130 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.1 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток -
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Конфигурация Single
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение HiPerFET
- Упаковка Tube
