198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

STB11N65M5

STB11N65M5
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:МОП-транзистор N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-263-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
  • Id - непрерывный ток утечки 9 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 480 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток -
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности 85 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение MDmesh
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel