DMN63D8LDWQ-7
- Производитель: Diodes Incorporated
- Описание:МОП-транзистор Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 220 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.8 Ohms, 2.8 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 870 pC, 870 pC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 300 mW
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
