TK12E80W,S1X
- Производитель: Toshiba
- Описание:МОП-транзистор N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
- Id - непрерывный ток утечки 11.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 23 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 165 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение DTMOSIV
- Упаковка -
