198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Продукт каталога компонентов

STP110N10F7
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:МОП-транзистор N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-220-3
  • Количество каналов -
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
  • Id - непрерывный ток утечки 110 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 60 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Pd - рассеивание мощности 150 W
  • Конфигурация -
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение STripFET
  • Упаковка Tube
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться