DMN2550UFA-7B
- Производитель: Diodes Incorporated
- Описание:МОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок X2-DFN0806-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 600 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 450 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
- Qg - заряд затвора 880 pC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 360 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
