Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3P-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
- Id - непрерывный ток утечки 48 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 50 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 60 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 250 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение HiPerFET
- Упаковка Tube
