198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SI8499DB-T2-E1

SI8499DB-T2-E1
  • Производитель: Vishay / Siliconix
  • Описание:МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок MicroFoot-6
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
  • Id - непрерывный ток утечки 16 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 26 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
  • Qg - заряд затвора 30 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 13 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel