VT6M1T2CR
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор 1.2V Drive Nch+Pch МОП-транзистор
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок VMT-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 100 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.5 Ohms, 3.8 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 300 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 150 mW
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
