198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Описание:МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа -
  • Упаковка / блок V-DFN3030-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel, NPN
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 8.8 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 13.9 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 1.9 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка -