198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

VN2106N3-G P005

VN2106N3-G P005
  • Производитель: Microchip Technology
  • Описание:МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-92-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 300 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток -
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, Reel